通过超短电脉冲在原子级薄膜中产生纳米孔
授权
摘要
本发明涉及通过超短电脉冲在原子级薄膜中产生纳米孔。在一种形成纳米孔的方法中，使膜的两个相反表面暴露于导电液体环境。通过液体环境，在两个膜表面之间施加具有第一成核脉冲幅度和持续时间的纳米孔成核电压脉冲。在施加纳米孔成核电压脉冲后，测定膜的电导，并与第一预定电导比较。然后，如果测定的电导不大于第一预定电导，则通过液体环境，在两个膜表面之间施加至少一个额外的纳米孔成核电压脉冲。
基本信息
专利标题 ：
通过超短电脉冲在原子级薄膜中产生纳米孔
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110090560A
申请号 ：
CN201811618764.1
公开（公告）日 ：
2019-08-06
申请日 ：
2014-03-14
授权号 ：
CN110090560B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
J.A.戈罗夫钦科B.陆A.T.宽
申请人 ：
哈佛大学校长及研究员协会
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨思捷
优先权 ：
CN201811618764.1
主分类号 ：
B01D67/00
IPC分类号 ：
B01D67/00 B01D69/02 B05D1/34 C25F3/00 C25F3/14 G01N33/487
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B01
一般的物理或化学的方法或装置
B01D67/00
专门适用于分离工艺或设备的半透膜的制备方法
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-08-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B01D 67/00
申请日 : 20140314
申请日 : 20140314
2019-08-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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