电化学制造锗烷的方法
授权
摘要
一种电化学制造锗烷的方法，在具有隔膜、阳极和包含钯的阴极的电化学单元中，向包含锗化合物的电解液通电，在阴极使锗烷产生。
基本信息
专利标题 ：
电化学制造锗烷的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110612366A
申请号 ：
CN201880031037.7
公开（公告）日 ：
2019-12-24
申请日 ：
2018-05-07
授权号 ：
CN110612366B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
铃木淳
申请人 ：
昭和电工株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
刘航
优先权 ：
CN201880031037.7
主分类号 ：
C25B1/00
IPC分类号 ：
C25B1/00 C25B11/08
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25B
生产化合物或非金属的电解工艺或电泳工艺；其所用的设备
C25B1/00
无机化合物或非金属的电解生产
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-01-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C25B 1/00
申请日 : 20180507
申请日 : 20180507
2019-12-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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