包含聚碳硅烷的碳化硅质膜形成组合物、以及使用了其的碳化硅...
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摘要
[问题]本发明提供一种包含聚碳硅烷的组合物，其埋入性优异，可在更低温进行成膜，且使制造出的膜的电特性优异。[解决方案]一种碳化硅质膜形成组合物，其包含聚碳硅烷以及溶剂，前述聚碳硅烷的1H‑NMR光谱中的3.92～4.20ppm的累积强度相对于3.60～5.50ppm的累积强度的比率为27～50％。
基本信息
专利标题 ：
包含聚碳硅烷的碳化硅质膜形成组合物、以及使用了其的碳化硅质膜的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111051389A
申请号 ：
CN201880051100.3
公开（公告）日 ：
2020-04-21
申请日 ：
2018-08-07
授权号 ：
CN111051389B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
冈村聪也
申请人 ：
默克专利有限公司
申请人地址 ：
德国达姆施塔特
代理机构 ：
北京三幸商标专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘卓然
优先权 ：
CN201880051100.3
主分类号 ：
C08G77/60
IPC分类号 ：
C08G77/60 C09D183/16 C08G77/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08G
用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
C08G77/00
在高分子主链中形成含硅键合，有或没有硫、氮、氧，或碳键合反应得到的高分子化合物
C08G77/60
其中所有的硅原子是与氧以外的原子键合
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-09-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C08G 77/60
申请日 : 20180807
申请日 : 20180807
2020-04-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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