聚碳硅烷的合成方法
视为撤回的专利申请
摘要
一种聚碳硅烷的合成方法，其特征是在常压下利用高温裂解反应柱和冷却柱，控制反应瓶温度在150-500℃、裂解区温度在200-700℃。反应时间在30分钟-10小时，用含硅-硅键、硅-碳键、硅-卤键的有机化合物及其混合物进行单程一步合成。用本发明合成的聚碳硅烷数均分子量★n为100-2000。产品在一般条件下存放稳定。本发明工艺流程和设备简单，合成反应时间短。反应条件易于控制，产率为55-65％。
基本信息
专利标题 ：
聚碳硅烷的合成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85108006A
申请号 ：
CN85108006.5
公开（公告）日 ：
1987-04-22
申请日 ：
1985-10-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨淑金刘心慰黄海珍费逸伟姜秀珍
申请人 ：
中国人民解放军国防科技大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市北区砚瓦池正街137号
代理机构 ：
国防科技大学专利办公室
代理人 ：
文伟能
优先权 ：
CN85108006.5
主分类号 ：
C07F7/08
IPC分类号 ：
C07F7/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
C07F7/00
含周期表第4或14族元素的化合物
C07F7/02
硅化合物
C07F7/08
具有1个或更多的C-Si键的化合物
法律状态
1992-02-19 ：
视为撤回的专利申请
1988-03-02 ：
实质审查请求
1987-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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