低聚硅烷的制造方法
授权
摘要
本发明提供能够选择性制造目标低聚硅烷的低聚硅烷的制造方法。通过不仅使用甲硅烷作为原料，而且使用硅原子数比目标低聚硅烷少的低聚硅烷和/或相反硅原子数多的低聚硅烷作为原料，能够提高目标低聚硅烷的选择率，高效制造低聚硅烷。
基本信息
专利标题 ：
低聚硅烷的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109219576A
申请号 ：
CN201780034377.0
公开（公告）日 ：
2019-01-15
申请日 ：
2017-06-06
授权号 ：
CN109219576B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
埜村清志内田博石原吉满中岛裕美子岛田茂佐藤一彦
申请人 ：
昭和电工株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
李照明
优先权 ：
CN201780034377.0
主分类号 ：
C01B33/04
IPC分类号 ：
C01B33/04 B01J29/48 B01J29/46
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/04
硅的氢化物
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2019-02-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 33/04
申请日 : 20170606
申请日 : 20170606
2019-01-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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