三氯硅烷的制造方法及配管
公开
摘要
本发明降低了因氯化铝析出而导致的配管的侧壁内表面的腐蚀。一种三氯硅烷的制造方法，在蒸馏工序(S3)中，通过使从蒸馏塔(4)排出的排出液(10)流过侧壁(12)的内表面(15)被陶瓷层(13)覆盖的第2配管(100)的内空部(19)，由此从蒸馏塔(4)回收排出液(10)。
基本信息
专利标题 ：
三氯硅烷的制造方法及配管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114630809A
申请号 ：
CN202080076381.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-11-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阪井纯也饭山昭二
申请人 ：
株式会社德山
申请人地址 ：
日本山口县
代理机构 ：
北京信诺创成知识产权代理有限公司
代理人 ：
王庆云
优先权 ：
CN202080076381.5
主分类号 ：
C01B33/107
IPC分类号 ：
C01B33/107
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/08
含卤素的化合物
C01B33/107
卤化硅烷
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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