制造含氮有机氧基硅烷化合物的方法
公开
摘要
本发明提供制造含氮有机氧基硅烷化合物的方法。制造化合物(3)的方法，该方法通过使化合物(1)与化合物(2)反应来制造化合物(3)，
其中R1和R2表示氢原子或一价烃基，其中排除R1和R2都是氢原子的情况，
其中R3表示二价烃基，R4和R5表示一价烃基，X表示卤素原子，m表示0至2的整数，该方法包括以下步骤：相对于化合物(2)中的卤素原子每1摩尔，使用0.1mol或更多且小于1mol的化合物(4)，
其中R6表示二价烃基，A表示单键等，和液化作为副产物生成的化合物(1)和(4)的卤化氢盐的混合物，以将混合物与化合物(3)分离并除去混合物。
基本信息
专利标题 ：
制造含氮有机氧基硅烷化合物的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114573630A
申请号 ：
CN202111431268.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-11-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
川上雅人殿村洋一
申请人 ：
信越化学工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
刘强
优先权 ：
CN202111431268.7
主分类号 ：
C07F7/18
IPC分类号 ：
C07F7/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物
C07F7/00
含周期表第4或14族元素的化合物
C07F7/02
硅化合物
C07F7/08
具有1个或更多的C-Si键的化合物
C07F7/18
具有1个或更多的C-Si键以及1个或更多的C-O-Si键的化合物
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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