单烷氧基硅烷和二烷氧基硅烷以及由其制备的致密有机二氧化硅...
公开
摘要
一种制备具有改善的机械性能的致密有机硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；向反应室中引入包含新型单烷氧基硅烷或二烷氧基硅烷的气态组合物；以及在反应室中向包含新型单烷氧基硅烷或二烷氧基硅烷的气态组合物施加能量以诱导包含新型单烷氧基硅烷或二烷氧基硅烷的气态组合物的反应，从而在衬底上沉积有机硅膜，其中所述有机硅膜具有约2.8至约3.3的介电常数、约7至约30GPa的弹性模量和通过XPS测量的约10至约30的at.％碳。
基本信息
专利标题 ：
单烷氧基硅烷和二烷氧基硅烷以及由其制备的致密有机二氧化硅膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556527A
申请号 ：
CN202080073062.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
萧满超W·R·恩特雷D·P·思朋斯R·N·弗蒂斯J·L·A·阿赫特伊勒R·G·里德格韦雷新建
申请人 ：
弗萨姆材料美国有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
吴亦华
优先权 ：
CN202080073062.9
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 B05D1/00 B05D3/06 C23C16/40 C23C16/505
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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