包括具有自立式区段的膜的装置
授权
摘要
提出一种装置，该装置包括膜(103)，该膜包括导电和/或半导电的高纵横比分子结构的网络。该装置还包括框架(102)，该框架被布置成在至少两个支撑位置处支撑膜(103)，使得膜(103)的自立式区段(101)在所述至少两个支撑位置之间延伸。两个或更多个电接触区域电联接至膜(103)，并且这些电接触区域被布置成使电荷以0.01安培到10安培之间的电流通过膜(103)的自立式区段(101)。
基本信息
专利标题 ：
包括具有自立式区段的膜的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111316376A
申请号 ：
CN201880072485.1
公开（公告）日 ：
2020-06-19
申请日 ：
2018-11-08
授权号 ：
CN111316376B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
比约恩·米克拉达尔
申请人 ：
卡纳图有限公司
申请人地址 ：
芬兰万塔
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
韩旭
优先权 ：
CN201880072485.1
主分类号 ：
H01B1/04
IPC分类号 ：
H01B1/04 B01D46/00 B01D69/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B1/00
按导电材料特性区分的导体或导电物体；用作导体的材料选择
H01B1/04
主要由碳硅化合物、碳或硅组成的
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-07-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01B 1/04
申请日 : 20181108
申请日 : 20181108
2020-06-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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