一种超低损耗大有效面积单模光纤设计及其制造方法
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摘要
本发明公开了一种超低损耗大有效面积单模光纤设计及其制造方法，光纤剖面由里到外分别包含高纯二氧化硅少量掺Cl和K芯层，F、Ge共掺包层、高掺F下凹包层和纯二氧化硅包层。这种光纤采用等离子体化学气相沉积方法制造，是因为等离子体化学气相沉积方法非常适合制造复杂剖面结构的光纤。本发明的光纤截止波长控制在1520nm以下，但是光纤的有效面积可达145～155μm2，采用本发明的设计方案可以有效地降低光纤衰耗，光纤在1550nm波长的衰耗小于或等于0.160dB/km，同时光纤具有较小的弯曲损耗。
基本信息
专利标题 ：
一种超低损耗大有效面积单模光纤设计及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110244402A
申请号 ：
CN201910340650.3
公开（公告）日 ：
2019-09-17
申请日 ：
2019-04-25
授权号 ：
CN110244402B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
成煜邓洪昌徐荣辉苑立波
申请人 ：
桂林电子科技大学
申请人地址 ：
广西壮族自治区桂林市桂林金鸡路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201910340650.3
主分类号 ：
G02B6/02
IPC分类号 ：
G02B6/02 G02B6/036
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/02
带有包层的光导纤维
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-06-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 6/02
申请日 : 20190425
申请日 : 20190425
2019-09-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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