一种输入耐压保护架构
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摘要
本发明揭示了一种应用于高压运放的高输入幅度、高线性度的输入耐压保护结构，包括主体运放、辅助运放和输入级耐压保护电路三部分，其中主体运放为高压通用运放，辅助运放为单极差分运放，共源极接简并电阻Rbias。此外辅助运放和主体运放的正负输入端接法一致，均由输入级耐压保护电路所保护，并同时接收处理输入信号。输入级耐压保护电路由两个NMOS管和钳位电路组成，其中NMOS管可承受较高电压，其栅源电压Vgs由辅助运放关联提供。应用本发明的输入耐压保护架构，将输入耐压保护电路中NMOS偏置电平与主体运放相隔离，极大地缓解了输入电压对主体运放性能的影响，有效扩展了输入信号的电压范围，提升了主体运放的线性度等处理信号的能力。
基本信息
专利标题 ：
一种输入耐压保护架构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110166009A
申请号 ：
CN201910360268.9
公开（公告）日 ：
2019-08-23
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN110166009B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
刘青凤
申请人 ：
思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园2-B304-1
代理机构 ：
南京苏科专利代理有限责任公司
代理人 ：
陈忠辉
优先权 ：
CN201910360268.9
主分类号 ：
H03F1/52
IPC分类号 ：
H03F1/52 H03F1/30 H03F3/45
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2019-09-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03F 1/52
申请日 : 20190430
申请日 : 20190430
2019-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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