具有写检测功能和动态冗余的MRAM芯片及其数据读写方法
授权
摘要
本发明公开了一种具有写检测功能和动态冗余的MRAM芯片及其数据读写方法，MRAM芯片包括MRAM主存储单元、若干个外围电路、写入寄存器、写入检测电路、纠错控制器及冗余存储区；MRAM主存储单元和外围电路用于配合执行读写操作；写入寄存器用于暂存待写入地址和待写入数据；MRAM主存储单元每进行一次写入操作，则对应增加一个写入检测电路，以在写入操作失败时向纠错控制器发送报错信号；纠错控制器中设有写入队列和非易失寄存器组，响应于接收到报错信号，纠错控制器控制将待写入数据放入写入队列，每组非易失性寄存器包括出错地址、替换地址、标识和计数器，标明该写入替换为永久性或暂时性，计数器用于针对暂时性的写入替换标明替换地址被使用的次数。
基本信息
专利标题 ：
具有写检测功能和动态冗余的MRAM芯片及其数据读写方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111951876A
申请号 ：
CN201910404345.6
公开（公告）日 ：
2020-11-17
申请日 ：
2019-05-15
授权号 ：
CN111951876B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
戴瑾
申请人 ：
上海磁宇信息科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区工业区兴顺路558号2幢2层
代理机构 ：
上海容慧专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
于晓菁
优先权 ：
CN201910404345.6
主分类号 ：
G11C29/42
IPC分类号 ：
G11C29/42 G11C29/00 G11C11/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置
G11C29/38
响应验证装置
G11C29/42
用纠错码或奇偶校验检查
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-12-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/42
申请日 : 20190515
申请日 : 20190515
2020-11-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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