一种集成化SiC固态功率控制器
授权
摘要
本发明公开一种集成化SiC固态功率控制器，采用功率电路板、驱动电路板和数字电路板三层叠加结构，通过铜柱与插针进行电气连接，模块与外部采用功率端子弯折引出连接，实现模块耐高温、高功率密度和低寄生参数的特点。功率走线采用陶瓷基板为Si3N4材料的覆铜陶瓷基板技术实现，集成了主电路，限流支路和泄放支路的布局，采用直角弯折迂回结构，大大减小功率部分电路体积，降低功率部分电路寄生参数，从而降低SiC MOSFET的电压应力。SiC MOSFET采用裸芯片并利用纳米银烧结技术焊接在电路布局中，采用超声波铝线键合方式互连，形成良好的导热路径，大大提高散热效果，提高固态功率控制器耐高温性能，可靠性高。
基本信息
专利标题 ：
一种集成化SiC固态功率控制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110267442A
申请号 ：
CN201910405360.2
公开（公告）日 ：
2019-09-20
申请日 ：
2019-05-16
授权号 ：
CN110267442B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
王莉汪开军
申请人 ：
南京航空航天大学
申请人地址 ：
江苏省南京市秦淮区御道街29号
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
艾中兰
优先权 ：
CN201910405360.2
主分类号 ：
H05K3/02
IPC分类号 ：
H05K3/02 H05K7/14 H05K9/00 H02H1/00
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法律状态
2022-04-08 ：
授权
2019-10-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05K 3/02
申请日 : 20190516
申请日 : 20190516
2019-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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