本发明属于半导体技术领域，公开了一种硅碳烯制备方法及其光分解水蒸气水制备氢气的方法，称量高纯石墨烯和硅烯，混合样品置于石墨舟中，在反应室圆筒状划分的四个象限内贴装四块磁铁瓦，产生静态磁场，在外围加一组线圈以产生高频电磁场。在经过样品室进行样品反应后，关闭激光器电源和电炉加热电源、高频电磁场电源，自然冷却，收集样品室的生成物，为硅碳烯。本发明硅碳烯可以通过高温条件下激光辐射硅烯和石墨烯在有碳化硅作为诱导因子且经过二次激光的辐射弱化进一步生长的条件下生长，是碳化硅的基本单元层的晶体生长，这种半导体材料的新颖特性有显示了带宽随着成分变化而变化。