磁传感器惠斯通电桥中的杂散场抑制
授权
摘要
本公开的实施例包括磁传感器惠斯通电桥中的杂散场抑制。一种磁传感器包括桥电路，其包括多个磁场传感器元件，每个磁场传感器元件被配置为响应于撞击在其上的磁场而生成传感器信号，其中桥电路被配置为基于由多个磁场传感器元件生成的传感器信号来生成差分信号。桥电路还包括多个电阻器，其中多个电阻器中的至少一个电阻器并联耦合到多个磁场传感器元件中的每个磁场传感器元件。
基本信息
专利标题 ：
磁传感器惠斯通电桥中的杂散场抑制
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110657828A
申请号 ：
CN201910575575.9
公开（公告）日 ：
2020-01-07
申请日 ：
2019-06-28
授权号 ：
CN110657828B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
J·居廷格S·海恩兹A·萨茨
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国诺伊比贝尔格
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
郑立柱
优先权 ：
CN201910575575.9
主分类号 ：
G01D5/14
IPC分类号 ：
G01D5/14 G01P3/42
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01D
非专用于特定变量的测量；不包含在其他单独小类中的测量两个或多个变量的装置；计费设备；非专用于特定变量的传输或转换装置；未列入其他类目的测量或测试
G01D5/00
用于传递传感构件的输出的机械装置；将传感构件的输出变换成不同变量的装置，其中传感构件的形式和特性不限制变换装置；非专用于特定变量的变换器
G01D5/12
采用电或磁装置
G01D5/14
影响电流或电压的大小
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2020-02-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01D 5/14
申请日 : 20190628
申请日 : 20190628
2020-01-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
