一种含二维钙钛矿钝化层的钙钛矿量子点发光二极管及其制备方...
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摘要
本发明提供了一种含二维钙钛矿钝化层的钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法，制备方法包括如下步骤：S1、在透明导电层表面采用溶液法沉积电子传输层；S2、制备钙钛矿量子点发光层：将钙钛矿量子点前驱材料旋涂于所述电子传输层表面，加热后制备得到钙钛矿量子点发光层；S3、制备二维钙钛矿钝化层：先将钝化材料溶解于有机溶剂制备得到钝化溶液，再将所述钝化溶液旋涂于所述钙钛矿量子点发光层表面，加热后制备得到二维钙钛矿钝化层；S4、在所述二维钙钛矿钝化层表面形成空穴传输层；S5、在所述空穴传输层表面形成金属电极层，最后将得到的基片进行封装，得到钙钛矿量子点发光二极管。
基本信息
专利标题 ：
一种含二维钙钛矿钝化层的钙钛矿量子点发光二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110350105A
申请号 ：
CN201910599574.8
公开（公告）日 ：
2019-10-18
申请日 ：
2019-07-02
授权号 ：
CN110350105B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
张余宝张文静阳敏张芹黎芳芳杨文学赵文天
申请人 ：
南昌航空大学
申请人地址 ：
江西省南昌市丰和南大道696号
代理机构 ：
南昌市平凡知识产权代理事务所
代理人 ：
张文杰
优先权 ：
CN201910599574.8
主分类号 ：
H01L51/52
IPC分类号 ：
H01L51/52 H01L51/54 H01L51/50 H01L51/56 B82Y30/00
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法律状态
2022-05-20 ：
授权
2019-11-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/52
申请日 : 20190702
申请日 : 20190702
2019-10-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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