钙钛矿发光二极管及其制备方法
授权
摘要
本申请提供一种钙钛矿发光二极管及其制备方法，钙钛矿发光二极管的制备方法包括：提供一基板，在基板上形成第一电极层，在第一电极层上形成空穴传输层，在空穴传输层上设置钙钛矿前驱液层，将第一溶剂涂覆于钙钛矿前驱液层，对涂覆有第一溶剂的钙钛矿前驱液层进行第一次热处理使钙钛矿前驱液层形成钙钛矿预制层，将第二溶剂涂覆于钙钛矿预制层，对涂覆有第二溶剂的钙钛矿预制层进行第二次热处理使钙钛矿预制层形成钙钛矿发光层，在钙钛矿发光层依次层叠设置电子传输层和第二电极层。在本申请中，通过二次反溶剂法制备钙钛矿发光层，延缓了结晶过程，提升结晶的规整度与可控性，进而提高了钙钛矿发光二极管的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
钙钛矿发光二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111613737A
申请号 ：
CN202010426149.1
公开（公告）日 ：
2020-09-01
申请日 ：
2020-05-19
授权号 ：
CN111613737B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
吴永伟
申请人 ：
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
刁文魁
优先权 ：
CN202010426149.1
主分类号 ：
H01L51/56
IPC分类号 ：
H01L51/56 H01L51/50
相关图片
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-09-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/56
申请日 : 20200519
申请日 : 20200519
2020-09-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN111613737A.PDF
PDF下载
