钙钛矿发光二极管器件及其制备方法和显示装置
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种钙钛矿发光二极管器件及其制备方法和显示装置。所述钙钛矿发光二极管器件包括：第一电极；第二电极；设置在所述第一电极与所述第二电极之间的钙钛矿发光层；设置在所述钙钛矿发光层与所述第二电极之间的电子传输层；其中，所述电子传输层的材料包括吡啶掺杂石墨炔和富勒烯衍生物。本申请的钙钛矿发光二极管器件中电子传输层采用吡啶掺杂石墨炔与富勒烯衍生物搭配使用构成，可以有效钝化钙钛矿的界面缺陷，有效抑制器件的漏电流，进而有助于提高电子的注入效率，实现高效的钙钛矿发光效率。
基本信息
专利标题 ：
钙钛矿发光二极管器件及其制备方法和显示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284445A
申请号 ：
CN202111539820.4
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈学彬
申请人 ：
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
王朝云
优先权 ：
CN202111539820.4
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/50
申请日 : 20211215
申请日 : 20211215
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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