一种单晶硅表面跨尺度减摩抗磨改性方法及表征方法
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摘要
本发明涉及了一种单晶硅表面跨尺度减摩抗磨改性方法及表征方法，以N‑3‑(三甲氧基硅烷基)丙基乙二胺自组装在硅表面作为基底连接层，在其表面喷覆1‑羧乙基‑3‑甲基咪唑氯盐离子液体和1‑十二烷基‑3‑甲基咪唑六氟磷酸盐离子液体的混合溶液，制备了复合离子液体润滑薄膜，即对单晶硅表面进行了跨尺度减摩抗磨改性。进一步表征了单晶硅表面跨尺度减摩抗磨性能，采用原子力显微镜和超景深显微镜分析了样品的表面形貌；借助红外光谱仪、X射线衍射仪和接触角测量仪对化学组分以及润湿性能进行了表征；采用原子力显微镜和往复式微摩擦磨损试验机分别测试了样片的微/纳摩擦学性能，最后综合磨痕形貌对跨尺度减摩抗磨机理进行研究。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶硅表面跨尺度减摩抗磨改性方法及表征方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110451454A
申请号 ：
CN201910659766.3
公开（公告）日 ：
2019-11-15
申请日 ：
2019-07-17
授权号 ：
CN110451454B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
刘思思孙鹤阮双双黄小宁姜胜强刘金刚
申请人 ：
湘潭大学
申请人地址 ：
湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘街道湘潭大学
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201910659766.3
主分类号 ：
B81C1/00
IPC分类号 ：
B81C1/00 B05D5/08 B05D7/24 G01N19/02 G01N21/3563 G01N23/2251 G01N23/2273 G01Q60/24
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IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81C
专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备
B81C1/00
在基片内或其上制造或处理的装置或系统
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2019-12-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B81C 1/00
申请日 : 20190717
申请日 : 20190717
2019-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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