一种LCP柔性基板无源阻容元件的制备方法
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摘要
本发明提出了一种LCP柔性基板无源阻容元件的制备方法，在干净的LCP基板覆铜面电镀Ni/Pd/Au层，无覆铜表面溅射薄膜电阻层和导带层，进行电镀、光刻、湿法刻蚀，制备出电阻和导带，然后采用lift‑off工艺，在LCP基板上制作出电容层，最后表面溅射薄膜导带层，并进行电镀、光刻、湿法刻蚀，制作出电容上电极和导带，完成LCP柔性基板无源阻容元件的制备。该制作方法利用薄膜溅射工艺，可一次性在LCP基板上同时制作出薄膜电阻和薄膜电容，并可制作薄膜阻容网络，实现阻容元件的薄膜集成化、高精度控制，应用在高频器件LCP系统级封装中进行无源阻容元件的埋置，可大大节约LCP柔性基板表面空间，提高基板组装密度。
基本信息
专利标题 ：
一种LCP柔性基板无源阻容元件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110400741A
申请号 ：
CN201910681247.7
公开（公告）日 ：
2019-11-01
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN110400741B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
丁蕾罗燕刘凯沈玮陈韬王立春
申请人 ：
上海航天电子通讯设备研究所
申请人地址 ：
上海市闵行区中春路1777号
代理机构 ：
上海汉声知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡晶
优先权 ：
CN201910681247.7
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/027 H01L21/308 H01L23/64
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-11-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20190725
申请日 : 20190725
2019-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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