具有集成式退火结构的巨磁阻传感器
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摘要
本发明公开了一种具有集成式退火结构的巨磁阻传感器。该传感器包括：第一组GMR结构，第一组GMR结构又包括：基片、沉积在基片上被绝缘层覆盖的退火结构、多层膜结构，该多层膜包含：有固定磁化方向的被钉扎层，磁化方向随外界磁场发生改变的自由层，夹于被钉扎层、自由层之间的非磁性层；第二组GMR结构：已沉积第一组GMR结构的基片，沉积在基片上被绝缘层覆盖的退火结构，多层膜结构。第一组GMR结构的被钉扎方向与第二组GMR结构的被钉扎方向不同。本发明是一种新型、有效的、集成了退火结构的GMR结构，能够在一个GMR传感器中实现具有不同磁化方向的GMR结构，以及用该结构组成惠斯通全桥结构的GMR传感器。
基本信息
专利标题 ：
具有集成式退火结构的巨磁阻传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112305469A
申请号 ：
CN201910686338.X
公开（公告）日 ：
2021-02-02
申请日 ：
2019-07-29
授权号 ：
CN112305469B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
韩根亮宋玉哲张彪
申请人 ：
甘肃省科学院传感技术研究所
申请人地址 ：
甘肃省兰州市定西南路229号
代理机构 ：
甘肃省知识产权事务中心代理有限公司
代理人 ：
张克勤
优先权 ：
CN201910686338.X
主分类号 ：
G01R33/09
IPC分类号 ：
G01R33/09 G01R33/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2022-02-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/09
申请日 : 20190729
申请日 : 20190729
2021-02-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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