氮掺杂碳部分覆盖的氧化锡纳米片材料及制备方法与应用
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摘要
本公开提供了氮掺杂碳部分覆盖的氧化锡纳米片材料及制备方法与应用。其材料包括导电基底，所述导电基底表面覆盖SnO2纳米片层，SnO2纳米片层的部分表面被氮掺杂的碳覆盖，SnO2纳米片有若干孔状结构。其制备方法：采用水热法在导电基底表面制备SnO2纳米片，将表面覆盖SnO2纳米片的导电基底放置到含有吡咯的溶液中，采用电化学方法在表面覆盖SnO2纳米片导电基底的SnO2纳米片表面沉积聚吡咯获得前驱体，将前驱体在惰性气氛下加热是不低于450℃进行热处理；其中，电化学方法沉积的时间少于5min。本公开提供的材料具有较好的起始电压、较高的电流密度和较强的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
氮掺杂碳部分覆盖的氧化锡纳米片材料及制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110510663A
申请号 ：
CN201910727458.X
公开（公告）日 ：
2019-11-29
申请日 ：
2019-08-07
授权号 ：
CN110510663B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
张进涛张宝花马继臻
申请人 ：
山东大学深圳研究院;山东大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新区南区深圳虚拟大学园A207室
代理机构 ：
济南圣达知识产权代理有限公司
代理人 ：
王磊
优先权 ：
CN201910727458.X
主分类号 ：
C01G19/02
IPC分类号 ：
C01G19/02 C01B32/05 B01J27/24
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G19/00
锡的化合物
C01G19/02
氧化物
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-12-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01G 19/02
申请日 : 20190807
申请日 : 20190807
2019-11-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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