一种用于提高生产中工艺稳定性的方法
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摘要

本发明涉及半导体技术领域,提供了一种用于提高生产中工艺稳定性的方法。在共源极阵列中完成了多晶硅沉积过程后,方法包括:检测晶圆的翘曲值,根据所述翘曲值确定多晶硅退火策略;或者,确定当前晶圆的加工工艺类型,根据所述加工工艺类型获取对应的多晶硅退火策略;其中,所述多晶硅退火策略,包括固化多晶硅的退火方式和/或调整多晶硅应力的退火方式;对当前加工的晶圆执行获取到的多晶硅退火策略。本发明结合了多晶硅的退火特性,并且,为此设计了一套完善的退火策略,充分发挥其在晶圆加工过程中对翘曲情况改善的能力。尤其是在应对马鞍形翘曲,能够取得有效的改善效果。

基本信息
专利标题 :
一种用于提高生产中工艺稳定性的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110620040A
申请号 :
CN201910862345.0
公开(公告)日 :
2019-12-27
申请日 :
2019-09-12
授权号 :
CN110620040B
授权日 :
2022-04-22
发明人 :
史丹丹胡明罗世金张帜夏志良
申请人 :
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 :
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
代理机构 :
深圳市六加知识产权代理有限公司
代理人 :
向彬
优先权 :
CN201910862345.0
主分类号 :
H01L21/324
IPC分类号 :
H01L21/324  H01L21/66  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理,例如退火、烧结
法律状态
2022-04-22 :
授权
2020-01-21 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/324
申请日 : 20190912
2019-12-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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