一种电子传输型共轭小分子半导体材料
授权
摘要
本发明公开了一种电子传输型共轭小分子半导体材料，噻吩桥为给体结构的受体（A1）‑给体（D）‑受体（A2）‑给体（D）‑受体（A1）型共轭小分子半导体材料。本发明引入强缺电子双受体结构，以噻吩桥联接，保持分子良好的平面性，这类新型的A1‑D‑A2‑D‑A1型共轭小分子材料具有电子传输特性，同时在受体上引入助溶烷基链，使得共轭小分子材料具有溶液可加工性。本发明的共轭小分子半导体材料是一种可溶液加工的半导体材料，可应用于非富勒烯光伏受体材料，n‑型传输有机薄膜晶体管以及热电材料等领域。
基本信息
专利标题 ：
一种电子传输型共轭小分子半导体材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110790776A
申请号 ：
CN201911037369.9
公开（公告）日 ：
2020-02-14
申请日 ：
2019-10-29
授权号 ：
CN110790776B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
张国兵周唯陈瑞坤
申请人 ：
合肥工业大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市屯溪路193号
代理机构 ：
安徽合肥华信知识产权代理有限公司
代理人 ：
余成俊
优先权 ：
CN201911037369.9
主分类号 ：
C07D519/00
IPC分类号 ：
C07D519/00 H01L51/05 H01L51/42 H01L35/24 H01L37/02
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07D
杂环化合物
C07D519/00
杂环化合物，含有1个以上的由两个或更多个相关杂环组成的环系，杂环间彼此稠合，或与1个共同碳环系稠合，不包含在C07D453/00或C07D455/00组内
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-03-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07D 519/00
申请日 : 20191029
申请日 : 20191029
2020-02-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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