图像暗场漏电流的校正方法、装置、电子终端、存储介质
授权
摘要
本申请提供图像暗场漏电流的校正方法、装置、电子终端、存储介质，其包括：获取暗场漏电流随时间变化的关系数据；根据待校正亮场图像的曝光窗口时间数据以及所述暗场漏电流随时间变化的关系数据，计算所述待校正亮场图像所需校正的暗场漏电流数据；基于所述待校正亮场图像所需校正的暗场漏电流数据，对所述待校正亮场图像进行图像校正。本发明旨在基于校正算法来消除暗场漏电流噪声对图像质量的影响，使校正前后的图像效果大为改善，而且本发明中的校正算法计算耗时短，能够满足实时上图要求。
基本信息
专利标题 ：
图像暗场漏电流的校正方法、装置、电子终端、存储介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110933256A
申请号 ：
CN201911217313.1
公开（公告）日 ：
2020-03-27
申请日 ：
2019-12-03
授权号 ：
CN110933256B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
杨俊越
申请人 ：
上海奕瑞光电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区瑞庆路590号9幢2层202室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
倪静
优先权 ：
CN201911217313.1
主分类号 ：
H04N5/21
IPC分类号 ：
H04N5/21 H04N5/32 G06T5/00
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-04-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04N 5/21
申请日 : 20191203
申请日 : 20191203
2020-03-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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