精准控制金属下沉的设备
授权
摘要
本发明公开了一种精准控制金属下沉的设备，包括：支撑架、加热装置、探针、和电性监控量测控制模块，所述支撑架设置在所述加热装置上，所述支撑架用于承接晶圆，所述热板加热控制单元控制连接于所述热板，所述探针具有三个针脚，分别为S端、D端和G端，所述电性监控量测控制模块控制连接于所述探针，所述S端用于接地，所述电性监控量测控制模块用于在所述D端输出固定电压偏置，所述电性监控量测控制模块用于在所述G端输出固定偏压装置。本发明通过实时监控电流，以在线电流的指标作为回火终点，实现回火过程中对金属下沉的精准控制，提升产品的性能，避免发现电性失效的周期长。
基本信息
专利标题 ：
精准控制金属下沉的设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111106040A
申请号 ：
CN201911238198.6
公开（公告）日 ：
2020-05-05
申请日 ：
2019-12-06
授权号 ：
CN111106040B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
陈智广李立中吴淑芳黄光伟马跃辉庄永淳吴靖陈东仰郑育新林伟铭
申请人 ：
福建省福联集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省莆田市涵江区江口镇赤港涵新路3688号
代理机构 ：
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐剑兵
优先权 ：
CN201911238198.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 G01R31/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-05-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20191206
申请日 : 20191206
2020-05-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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