一种双层滤波器和谐波改善方法
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摘要
本发明实施例提供一种双层滤波器和谐波改善方法，所述双层滤波器包括上层介质块和下层介质块，所述上层介质块和所述下层介质块均包括一个谐振腔或多个耦合连接的谐振腔，所述上层介质块和所述下层介质块的一个或多个谐振腔之间通过层间耦合连接结构连接，以使所述上层介质块和所述下层介质块的谐振腔形成耦合通道，在保证所述层间耦合连接结构的主耦合系数基本不变的条件下，通过至少一个所述层间耦合连接结构上开设有空腔区域，使层间耦合连接结构的频率远离通带，以推远谐波，使谐波满足要求，且易于加工。
基本信息
专利标题 ：
一种双层滤波器和谐波改善方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111313133A
申请号 ：
CN201911311701.6
公开（公告）日 ：
2020-06-19
申请日 ：
2019-12-18
授权号 ：
CN111313133B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
佘文明许建军朱晖楼仲宇王文珠
申请人 ：
武汉凡谷电子技术股份有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市江夏区光谷大道藏龙岛九凤街5号凡谷电子工业园4号楼2楼
代理机构 ：
武汉开元知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄行军
优先权 ：
CN201911311701.6
主分类号 ：
H01P1/208
IPC分类号 ：
H01P1/208
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2020-07-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01P 1/208
申请日 : 20191218
申请日 : 20191218
2020-06-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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