可控硅控制电路、系统及方法

授权

摘要

本发明提供了一种可控硅控制电路、系统及方法，通过电压比较器比较参考电压和交流电网电压，以得到可控硅驱动电路的控制信号，以此来控制可控硅的导通和关断。与现有技术相比，由于可控硅的导通时刻不再基于预测的时间，而是基于实际采样得到的交流电压值与参考电压值导通的结果，因此，能够更好的控制可控硅整流电路导通时间点，最大限度吸收电网能量，有效缩短电流冲击响应时间。另外，通过使用电路驱动可控硅的方法不仅简化了软件复杂程度，同时也避免了因交流电网电压波形在下降阶段突然上凸的畸变引起的冲击电流过大问题，降低了冲击电流过流概率，提高了可靠性。

基本信息

专利标题：

可控硅控制电路、系统及方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110989749A

申请号：

CN201911349137.7

公开（公告）日：

2020-04-10

申请日：

2019-12-24

授权号：

CN110989749B

授权日：

2022-04-05

发明人：

刘通唐志俊闻伟

申请人：

联合汽车电子有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区榕桥路555号

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

曹廷廷

优先权：

CN201911349137.7

主分类号：

G05F1/45

IPC分类号：

G05F1/45