一种无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法
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摘要
本发明的目的在于提供一种快速、无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法，首先利用激光拉曼(Raman)光谱仪测定导电氧化物薄膜的特定光谱，将特定光谱进行定量，定量方法可对拉曼的E2high，AM和LO三种信号进行准确定量与区分，进而间接解决了该三类信号对应的本征缺陷或非本征缺陷结构难以定量的难题；接着将光谱定量数据与霍尔测试仪实际测到的电学数据进行比对分析，得出对应关系；最后根据对应关系，就可以利用拉曼光谱仪这种无损检测手段，快速测量出导电氧化物薄膜的电学性能，在检测领域具有极大的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种无损检测导电氧化物薄膜电学性能的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111122545A
申请号 ：
CN201911397370.2
公开（公告）日 ：
2020-05-08
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN111122545B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
陈玉云黄峰李朋孟凡平
申请人 ：
中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请人地址 ：
浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
代理机构 ：
杭州天勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘诚午
优先权 ：
CN201911397370.2
主分类号 ：
G01N21/65
IPC分类号 ：
G01N21/65
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/63
光学激发的
G01N21/65
喇曼散射
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-06-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/65
申请日 : 20191230
申请日 : 20191230
2020-05-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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