过滤阴极电弧法制备的高性能透明导电薄膜
公开
摘要
本发明涉及显示材料技术领域，且公开了一种过滤阴极电弧法制备的高性能透明导电薄膜，过滤阴极电弧法具有高沉积速率和高离子能量的优点，可以制备高结晶质量、高致密度、优异光电性能和化学稳定性的透明导电薄膜，本发明公开了用FCAD制备高性能ZnO和SnO2基透明导电薄膜和薄膜晶体管的技术。首先，公开了一种高性能ZnOTFT的制备方法，其有源层和电极层分别采用以FCAD在低温制备的ZnO和AlZnO薄膜；其次，公开了几种SnO2基TFTs的制备工艺，其有源层可分别采用FCAD在低温制备的高阻SnO2、Sb或Ta或W掺杂的SnO2薄膜，其电极层可分别采用FCAD在低温制备的低阻Sb或Ta或W掺杂的SnO2薄膜。
基本信息
专利标题 ：
过滤阴极电弧法制备的高性能透明导电薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566543A
申请号 ：
CN202210190914.3
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚建可唐杰汤皎宁
申请人 ：
惠州市中德纳微科技有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市惠城区马安镇新群村波荡广汕公路10号厂房五楼A1区
代理机构 ：
广东中禾共赢知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
熊士昌
优先权 ：
CN202210190914.3
主分类号 ：
H01L29/43
IPC分类号 ：
H01L29/43 H01L29/49 H01L29/24 H01L29/786 H01L21/34 H01L21/44 C23C14/08 C23C14/32
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
