一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线
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摘要
本发明公开了一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线，其特征在于，包括：充电电源V1、充电开关S2、等效负载R1、Blumlein脉冲形成线和脉冲吸收电路FR1；所述Blumlein脉冲形成线包括：半导体开关S1、脉冲形成线L1和脉冲形成线L2；本发明解决了负载阻抗与脉冲形成线的阻抗不匹配引起形成线上的反射电压，进而在半导体开关上产生电流震荡以及在负载上形成反向电压造成器件损坏的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种具有反向抑制的BLUMLEIN脉冲形成线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111064451A
申请号 ：
CN201911408386.9
公开（公告）日 ：
2020-04-24
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN111064451B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
刘庆想张同信王利明张政权
申请人 ：
西南交通大学
申请人地址 ：
四川省成都市二环路北一段
代理机构 ：
成都正华专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈选中
优先权 ：
CN201911408386.9
主分类号 ：
H03K3/53
IPC分类号 ：
H03K3/53
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法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-05-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 3/53
申请日 : 20191231
申请日 : 20191231
2020-04-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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