降低重掺硼色斑的酸腐蚀工艺
授权
摘要
本发明涉及一种降低重掺硼色斑的酸腐蚀工艺，所属半导体活化技术领域，包括先将硅片放在特氟龙片盒中，并用浓度比为氨水：双氧水：水=1:2:20的溶液清洗5～10min，去除掉硅片表面的颗粒。接着将硅片在倒片机中倒入腐蚀笼中，进行对硅片的酸腐蚀过程。腐蚀结束后快速将腐蚀笼取出，采用快速排水的方式用大量纯水进行冲洗。接着用浓度5wt%的氢氟酸水溶液清洗，然后用四甲基氢氧化铵3wt%水溶液清洗5～8min，紧接着采用甩干机甩干。最后完成面检挑片过程。具有腐蚀均匀性优、工艺稳定性好和效率高的优点。解决了硅片腐蚀不均匀而在边缘出现白色色斑的问题。消除硅片表面的边缘白色色斑，提高外观品质。
基本信息
专利标题 ：
降低重掺硼色斑的酸腐蚀工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111128714A
申请号 ：
CN201911417595.X
公开（公告）日 ：
2020-05-08
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN111128714B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
刘玉龙
申请人 ：
杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区杭州大江东产业集聚区江东大道3899号709-18
代理机构 ：
杭州融方专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈相权
优先权 ：
CN201911417595.X
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-06-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20191231
申请日 : 20191231
2020-05-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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