一种基于人工表面等离子体的电磁干扰辐射抑制结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于人工表面等离子体的电磁干扰辐射抑制结构。整个抑制结构分为上层金属层和下层有耗介质层，金属层印刷在有耗介质层上表面，金属层主要由四个人工表面等离子体单元沿周向均布排列构成；每个人工表面等离子体单元由13个的“十”字形结构依次串接组合而成，每个“十”字形结构包括短长金属条，短长金属条的中点相交并垂直布置；短金属条沿同一直线依次连接成同一金属条，长金属条相平行，从中间至两边的长金属条的长度h逐渐增加且两边以中间呈对称分布。本实用新型适用于封装芯片的EMI辐射抑制，能在较宽的频带内对芯片实现有效抑制，且具有结构简单，易于设计，厚度薄，抑制效果好，使用范围广，不受噪声源限制等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种基于人工表面等离子体的电磁干扰辐射抑制结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920399795.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-27
授权号 ：
CN209658169U
授权日 ：
2019-11-19
发明人 ：
李尔平张友飞李天武
申请人 ：
海宁利伊电子科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双富路28号D座5楼509室
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
林超
优先权 ：
CN201920399795.6
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/60 H05K9/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2019-11-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
