RGB全彩InGaN基LED
授权
摘要
本实用新型公开一种RGB全彩InGaN基LED，在基板材料表面覆盖晶格匹配的2D材料超薄层作为中介层，InGaN系材料外延层成长于2D材料超薄层上，此2D材料超薄层由单一材料构成或者一种以上材料迭层形成。本实用新型采用2D材料覆盖基板材料表面作为InxGa1‑xN外延的中介层，进行范德华外延或准范德华外延技术应用，使得来自于外延工序中晶格以及热膨胀不匹配的应力或应变能获得一定程度的舒缓，能在目前可用的基板表面实现高质量的高In含量InxGa1‑xN外延，并实现高效能的直接绿光/红光发光二极管，将外延及组件工序简化，使得采用的基板材料选择可能性更为宽广，制造成本低，有利于市场推广应用。
基本信息
专利标题 ：
RGB全彩InGaN基LED
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920405983.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-28
授权号 ：
CN209843740U
授权日 ：
2019-12-24
发明人 ：
王晓靁刘家桓宋高梅
申请人 ：
王晓靁
申请人地址 ：
中国台湾台南市东区新东里24邻裕农路27号之1七楼之2
代理机构 ：
厦门市精诚新创知识产权代理有限公司
代理人 ：
李宁
优先权 ：
CN201920405983.5
主分类号 ：
H01L33/12
IPC分类号 ：
H01L33/12 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2019-12-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
