一种基坑集水明排降水体系
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摘要
一种基坑集水明排降水体系，基坑为分段分层基坑，包括设于基坑底上的第一排水沟、设于每个坡顶上的挡水墙和第二排水沟和铺设在基坑斜坡和坡顶上的挂网喷面层，挡水墙设于第二排水沟靠近下层基坑斜坡的一侧，第一排水沟及第二排水沟内均匀间隔设有集水井；第一排水沟及第二排水沟均包括两侧由灰沙砖堆砌而成的沟壁、由混凝土浇筑而成的混凝土垫层和由水泥砂浆抹面而成的沟内抹面层；集水井包括由井壁、由混凝土浇筑而成的井底混凝土层和由水泥砂浆抹面而成的井内抹面层。本实用新型中挂网喷面层及引水管结合的设置能有效为对上层滞水进行有效疏导，使整个基坑排水更加顺畅，混凝土层靠近排水沟的部分为斜坡设置，有助于基坑排水。
基本信息
专利标题 ：
一种基坑集水明排降水体系
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920446576.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-03
授权号 ：
CN210151748U
授权日 ：
2020-03-17
发明人 ：
姚元朝韦子龙李振凯崔秀生张高健易睿张利兵王全徐飞杨学诗唐进华魏昌智廖茂舟王松
申请人 ：
中建二局第三建筑工程有限公司;中国建筑第二工程局有限公司
申请人地址 ：
北京市丰台区海鹰路6号院30号楼
代理机构 ：
北京中建联合知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
旦帅男
优先权 ：
CN201920446576.9
主分类号 ：
E02D17/02
IPC分类号 ：
E02D17/02 E02D19/10
IPC结构图谱
E
E部——固定建筑物
E02
水利工程；基础；疏浚
E02D
基础；挖方；填方；地下或水下结构物
E02D17/00
挖方；挖方边缘的修砌；填方
E02D17/02
基础坑
法律状态
2020-03-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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