晶圆加热装置
授权
摘要
本实用新型实施例涉及半导体制造领域，公开了一种晶圆加热装置，所述晶圆加热装置包括用于加热晶圆的热板、设置在所述热板上且用于固定晶圆的承载结构，所述承载结构远离所述热板的一端端面与所述热板表面形成的夹角可调节、所述承载结构在所述热板的轴向方向上可伸缩。本实用新型提供的晶圆加热装置能够使晶圆表面各区域的受热温度不同，为在晶圆上形成厚度不一的光刻胶膜创造工艺条件。
基本信息
专利标题 ：
晶圆加热装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920528620.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-16
授权号 ：
CN209822594U
授权日 ：
2019-12-20
发明人 ：
孔志能
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN201920528620.0
主分类号 ：
H01L21/324
IPC分类号 ：
H01L21/324 H01L21/687 G03F7/16 G03F7/26
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
2019-12-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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