一种通信低相噪锁相倍频晶体器件
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摘要
本实用新型涉及晶体器件技术领域，且公开了一种通信低相噪锁相倍频晶体器件，包括基层，所述基层顶端的中部设有栅极，且基层的顶部设有位于栅极表面的绝缘层，所述绝缘层的顶部设有氧化物层，所述氧化物层顶端的中部设有电偶极子层，所述电偶极子层一侧的顶部设有源极，且电偶极子层另一侧的顶部设有漏极。该通信低相噪锁相倍频晶体器件，通过纳米三氧化钼层对氧化物层进行防护，在确保其电学性能的同时，避免氧化物层与水和氧发生反应，从而提高晶体器件的稳定性，同时利用位于纳米三氧化钼上的冷却介质层对其进行隔热和散热，利用导热片提高其散热效果，利用碳纤维层提高其耐腐蚀、耐高温性并确保其电学性能。
基本信息
专利标题 ：
一种通信低相噪锁相倍频晶体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920561255.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-24
授权号 ：
CN209691759U
授权日 ：
2019-11-26
发明人 ：
刘立华苏诚芝滕利姜蒂
申请人 ：
深圳市炬烜科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华新区大浪街道腾龙路淘金地电子商务孵化基地B座206A
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920561255.3
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L23/367 H01L23/29 H01L23/31
法律状态
2019-11-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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