一种可应用于低电压环境的欠压检测电路
授权
摘要
本实用新型提供了一种可应用于低电压环境的欠压检测电路,包括PMOS管PM1;NMOS管NM1和NM2;反相器I1和I2;电容CP和电源电压VDD,电容CP一端接电源电压VDD,另一端接入NM2的源端,其中NM2都为低阈值NMOS管。本实用新型可以在低电压环境中应用且在正常工作状态下无静态功耗。
基本信息
专利标题 :
一种可应用于低电压环境的欠压检测电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920605006.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-29
授权号 :
CN210123454U
授权日 :
2020-03-03
发明人 :
庄在龙
申请人 :
南京芯耐特半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省南京市浦口区江浦街道浦滨大道88号浦口科创广场B座509
代理机构 :
南京聚匠知识产权代理有限公司
代理人 :
刘囝
优先权 :
CN201920605006.X
主分类号 :
G01R19/165
IPC分类号 :
G01R19/165
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
G01R19/165
指示电流或电压高于或低于预定值,或者是处于预定的数值范围之内或之外
法律状态
2020-03-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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