吸收器
授权
摘要
本实用新型涉及吸收器的技术领域，尤其涉及一种吸收器，该吸收器包括基板、第一金属层、相变材料层及第二金属层，第一金属层设置在基板上，相变材料层设置在第一金属层背离基板的一侧表面，第二金属层设置在相变材料层背离第一金属层的一侧表面上，第二金属层包括多个金属单元，多个金属单元间隔排布。该吸收器能够在相变材料层发生相变时改变在特定波长段的吸收率，以此实现吸收器的可调谐性，而不需要将超材料浸泡在液晶之中，从而简化了整个吸收器的结构，降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
吸收器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920631439.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN209946423U
授权日 ：
2020-01-14
发明人 ：
成龙蔡博渊袁小聪
申请人 ：
深圳大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区南海大道3688号深圳大学南校区物理能源楼n804
代理机构 ：
深圳中细软知识产权代理有限公司
代理人 ：
安秀梅
优先权 ：
CN201920631439.2
主分类号 ：
G02B5/00
IPC分类号 ：
G02B5/00 G02F1/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B5/00
除透镜外的光学元件
法律状态
2020-01-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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