光学元件制造方法、光学元件、尼普科夫盘、共焦光学系统以及...
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摘要
一种光学元件制造方法包括：设置遮光层(14)，该遮光层包括在用作基底件的基质上的作为最上层的至少Si层；在遮光层(14)上形成光学孔径(14a)；以及通过干法蚀刻在最上层的表面上形成微小的凹进/凸起结构。
基本信息
专利标题 ：
光学元件制造方法、光学元件、尼普科夫盘、共焦光学系统以及三维测量装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101048676A
申请号 ：
CN200580037028.1
公开（公告）日 ：
2007-10-03
申请日 ：
2005-10-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
浜村宽门松洁雨宫升
申请人 ：
株式会社尼康
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘建功
优先权 ：
CN200580037028.1
主分类号 ：
G02B5/00
IPC分类号 ：
G02B5/00 G02B5/02 G01B11/24 G02B21/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B5/00
除透镜外的光学元件
法律状态
2009-02-04 ：
授权
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2007-10-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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