芯粒分选结构
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本实用新型提出芯粒分选结构。所述芯粒分选结构包括，第一光源；第一掩膜部，能够调整透光位置，使第一光源照射的光能够穿过；第二光源；第二掩膜部，位于第一掩膜部背离第一光源的一侧，且第一掩膜部与第二掩膜部之间设置有置膜空间；第二掩膜部能够调整透光位置，使第二光源照射的光能够穿过；在分选芯粒区域，第一掩膜部透光位置正对应第二掩膜部不透光位置，第一掩膜部不透光正对应第二掩膜部透光位置。
基本信息
专利标题 ：
芯粒分选结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920642685.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-07
授权号 ：
CN210098299U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
吴贵阳刘兴波王胜利
申请人 ：
深圳市矽电半导体设备有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙城工业园3号厂房三楼东区、五楼中西区
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201920642685.8
主分类号 ：
B07C5/36
IPC分类号 ：
B07C5/36 B07C5/342
相关图片
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B07
将固体从固体中分离；分选
B07C
邮件分拣；单件物品的分选，或适于一件一件地分选的散装材料的分选，如拣选
B07C5/00
按照物品或材料的特性或特点分选，例如用检测或测量这些特性或特点的装置进行控制；用手动装置，例如开关，来分选
B07C5/36
以其分配方式为特征的分选装置
法律状态
2020-04-14 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : B07C 5/36
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳市矽电半导体设备有限公司
变更后 : 矽电半导体设备（深圳）股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙城工业园3号厂房三楼东区、五楼中西区
变更后 : 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙城工业园3号厂房三楼东区、五楼中西区
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳市矽电半导体设备有限公司
变更后 : 矽电半导体设备（深圳）股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙城工业园3号厂房三楼东区、五楼中西区
变更后 : 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙城工业园3号厂房三楼东区、五楼中西区
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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