一种轴式突波抑制二极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种轴式突波抑制二极管，包括本体，本体内的突波抑制晶粒，本体内设置有整流晶粒，突波抑制晶粒的N端连接有整流晶粒的N端，整流晶粒的P端通过导线连接至本体外部形成阳极，突波抑制晶粒的P端连接至本体外部形成阴极。本实用新型在原有突波抑制功能的基础上增加了整流功能，提升了产品的应用能力。
基本信息
专利标题 ：
一种轴式突波抑制二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920687931.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-15
授权号 ：
CN210040191U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
方敏清
申请人 ：
强茂电子（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术开发区汉江路8号
代理机构 ：
上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
任益
优先权 ：
CN201920687931.1
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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