瞬态抑制二极管
授权
摘要
本实用新型公开一种瞬态抑制二极管，包括：位于环氧封装体内的第一引线条、第二引线条和2个在竖直方向上叠置的瞬态二极管芯片，其第一引线条的焊接端与位于顶部的瞬态二极管芯片的正极电连接，第一引线条的引脚端位于环氧封装体的底部的第一缺口槽内；第二引线条的焊接端与位于底部的瞬态二极管芯片的正极电连接，第二引线条的引脚端位于环氧封装体的底部的第二缺口槽内；第一引线条、第二引线条各自的引脚端位于环氧封装体内的区域开有一第二通孔。本实用新型瞬态抑制二极管避免虚焊从而提高了器件的电性能的可靠性同时，也提高了引线条与环氧封装体结合力，从而使得器件整体的强度提高。
基本信息
专利标题 ：
瞬态抑制二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122432888.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-09
授权号 ：
CN216413063U
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
钱淼李飞帆邱显羣
申请人 ：
苏州锝耀电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市相城区黄埭镇东桥胡桥村
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王健
优先权 ：
CN202122432888.4
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L23/49 H01L25/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2022-04-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
