一种瞬态抑制二极管
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摘要
一种瞬态抑制二极管，包括：基材，基材为N型基材；形成在基材正面的N型重掺杂层；形成在基材的背面的第一区域上的P型轻掺杂层；形成在基材的背面除第一区域以外的第二区域上的P型重掺杂层；形成在基材正面的沟槽，沟槽与第一区域对应，且P型轻掺杂层暴露于沟槽；形成在沟槽上的钝化层。可见，由于P型重掺杂层的掺杂浓度高，P型轻掺杂层的掺杂浓度低，因此，P型重掺杂层与N型基材的交界形成的P+/N结的击穿电压低于P型轻掺杂层与N型基材的交界形成的P‑/N结。因此，在高电压冲击上述瞬态抑制二极管时，首先在P+/N结处击穿，也就是说，P‑/N结承受的电压较小，钝化层在不使用传统的铅系玻璃钝化的情况下，也可满足P‑/N结需要的钝化保护要求。
基本信息
专利标题 ：
一种瞬态抑制二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122664527.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-02
授权号 ：
CN216648323U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
李晓锋招景丰
申请人 ：
浙江里阳半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省台州市玉环市芦浦镇漩门工业区
代理机构 ：
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭燕
优先权 ：
CN202122664527.2
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06 H01L23/29 H01L23/31
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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