低压瞬态电压抑制二极管芯片
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本实用新型公开了一种低压瞬态电压抑制二极管芯片。它包括芯片体，玻璃保护层及PN结，在玻璃保护层旁的PN结的边缘部分向下延伸。本实用新型具有边缘的击穿场强小，可大幅度降低漏电流等优点。
基本信息
专利标题 ：
低压瞬态电压抑制二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620140021.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-11-20
授权号 ：
CN200972861Y
授权日 ：
2007-11-07
发明人 ：
谢晓东保爱林
申请人 ：
绍兴科盛电子有限公司
申请人地址 ：
312000浙江省绍兴市绍兴经济开发区东山路龙山科技园
代理机构 ：
浙江杭州金通专利事务所有限公司
代理人 ：
徐关寿
优先权 ：
CN200620140021.4
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861
法律状态
2010-01-13 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-11-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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