本实用新型涉及一种穿通结构的瞬态电压抑制二极管芯片，属于集成电路或分立器件制造的技术领域。包括金属层、P⁺⁺衬底层、P^‑外延层、P⁺穿通层和N⁺阴极区，所述金属层包括阴极金属层和阳极金属层，所述P⁺⁺衬底层和P^‑外延层依次设于阳极金属层和阴极金属层之间；所述P⁺穿通层贯穿P^‑外延层，P⁺穿通层与P⁺⁺衬底层相连通，所述N⁺阴极区横跨于P⁺穿通层和P^‑外延层上。一种穿通结构的瞬态电压抑制二极管芯片及制造工艺，采用穿通结构改变了传统的产品设计结构，无需高掺杂浓度原材料，降低了原材料加工风险，规避了原材料供应问题。另外，穿通结构还能规避原结构带来的因PN结边缘电场易集中带来的产品保护能力弱问题，提高了产品性能。