一种瞬态电压抑制二极管
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摘要
本实用新型公开了一种瞬态电压抑制二极管，包括二极管本体，所述二极管本体包括半导体衬底，所述半导体衬底上形成有两个第一P阱，每个所述第一P阱中设置有多个N+注入区和P+注入区；在两个所述第一P阱的一侧形成有多个N阱和第二P阱，每个所述第二P阱中设置有一个N+注入区，每个所述N阱中设置有一个和P+注入区；两个所述第一P阱之间设置有第三P阱；所述半导体衬底上形成金属层，所述金属层并联连接多个P+注入区形成正极，所述金属层并联多个N+注入区形成负极。本实用新型在半导体衬底上形成第一P阱、第二P阱和N阱；并在第一P阱、第二P阱和N阱形成N+注入区和P+注入区，减少响应时间，提高可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种瞬态电压抑制二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122576922.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-26
授权号 ：
CN216250743U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
秦志方吴仕迪
申请人 ：
美台高科（上海）微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区紫星路588号2幢14层296室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122576922.5
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L29/06
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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