大功率瞬态抑制二极管封装结构
授权
摘要
大功率瞬态抑制二极管封装结构，本实用新型涉及TVS二极管封装结构领域。提出了一种结构精巧、使用效果好，在保持PCB面积不变的前提下，可显著加大功率的大功率瞬态抑制二极管封装结构。本实用新型通过多个芯片的叠加焊接，使得TVS二极管的性能得到了成倍的提升，有效解决了因单颗TVS芯片性能局限导致TVS二极管整体功率不足的问题。同时，由于若干芯片上下堆叠，因此，可使得PCB（Printed Circuit Board，中文名称为印制电路板，又称印刷线路板）的面积可保持不变，实现了在保持PCB面积不变的前提下，加大TVS二极管整体功率的目的。本案从整体上具有着结构精巧、使用效果好以及功率大等优点。
基本信息
专利标题 ：
大功率瞬态抑制二极管封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920798450.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-29
授权号 ：
CN209571413U
授权日 ：
2019-11-01
发明人 ：
薛伟吕强曾德鑫周理明王毅
申请人 ：
扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期
代理机构 ：
扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周全
优先权 ：
CN201920798450.8
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/488 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2019-11-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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