一种新型氧化物半导体窄边框显示器
授权
摘要
本实用新型公开了一种包括氧化物半导体显示面板，氧化物半导体显示面板包括可视区域以及电路区域，氧化物半导体显示面板包括半导体层、第二绝缘层以及第二金属层，位于电路区域上的第二绝缘层仅覆盖在半导体层的两侧，位于电路区域上的两个第二金属层在相邻的一端均直接覆盖在半导体层上；本实用新型中位于电路区域上的两个第二金属层之间间隙的最小值即为TFT沟道长度，此时，TFT沟道长度L由源漏极工艺极限间距定义，即上述技术方案可以减少电路区域的TFT沟道长度，在满足驱动需求的条件下，TFT沟道长度减小，所需要的TFT沟道宽度W也更小，从而实现电路区域整体设计需求尺寸的缩小，达到减小下边框的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种新型氧化物半导体窄边框显示器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920770770.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-27
授权号 ：
CN209912872U
授权日 ：
2020-01-07
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
福建华佳彩有限公司
申请人地址 ：
福建省莆田市涵江区涵中西路1号
代理机构 ：
福州市博深专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张明
优先权 ：
CN201920770770.2
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 G02F1/1362
法律状态
2020-01-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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