半导体器件以及显示器件
授权
摘要
本发明提供一种以低成本、高成品率制造具有高可靠性和高清晰度的显示器件的方法。根据本发明，在像素区域的像素电极层上提供间隔物。此外，覆盖像素电极周边的作为分隔壁发挥作用的绝缘层的表面因反映绝缘层下的叠层体而形成为从像素电极表面的高度较高。利用该间隔物和用作间隔物的绝缘体支撑用于在像素电极层上选择性地形成发光材料时的掩模，以防止因该掩膜的扭歪或弯曲而使该掩模接触到像素电极层。因此，在像素电极层中不发生由掩模引起的伤痕等损伤，所以像素电极层不会成为不良形状，因此可以制造提供高分辨率的显示且具有高可靠性的显示器件。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件以及显示器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1770937A
申请号 ：
CN200510113736.0
公开（公告）日 ：
2006-05-10
申请日 ：
2005-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
广末美佐子片山雅博山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
韦欣华
优先权 ：
CN200510113736.0
主分类号 ：
H05B33/12
IPC分类号 ：
H05B33/12 H05B33/26 H05B33/08 H01L27/32
法律状态
2010-05-26 ：
授权
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2006-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
